据TechInsights预测，2024年内存价格已开始上涨，较前一年的低谷期增长了88%。根据以往DRAM市场的繁荣情况，预计2025年内存价格增速将放缓，并在2026年或2027年出现萎缩。
然而，桑德斯表示，这种情况这次不太可能发生。“我认为价格峰值将在2026年出现，”他说道，并补充说，即使到那时，他预计DRAM价格也要到2027年才会趋于稳定，然后在2028年再次上涨。
那么，是什么导致了内存价格飞涨呢？嗯，正如你可能已经猜到的，是人工智能。但这并非全部原因。时机也是一个重要因素。
桑德斯认为，人工智能热潮的兴起时机对内存供应商来说可能是最糟糕的。“这种需求最初源于硅谷的DRAM行业。这使得在财务上扩建产能变得异常艰难，”他说道。“如果仓促行事，新增产能的上线时间大约需要三年。正是由于时机不佳，才导致了我们如今的困境。”
更现实的情况是，像三星、SK海力士和美光这样的DRAM供应商，需要四到五年时间才能在新工厂实现产能提升，而到那时，市场状况可能会发生相当大的变化。
时机也是DRAM短缺对不同厂商影响程度不同的原因之一。“消费市场的需求已经非常旺盛，而OEM厂商的需求还有大约一年的时间，他们目前还没有感受到太大的压力，”他解释道。
换句话说，像戴尔和惠普这样的大型硬件厂商受到的影响要小得多，因为它们通常会提前锁定订单，而小型厂商则只能任由现货价格波动。事实上，在圣诞节假期前，游戏内存供应商G.Skill发表声明，将产品价格上涨归咎于人工智能。
“由于人工智能行业空前高需求，导致全球供应严重受限和短缺，DRAM价格正经历着整个行业的剧烈波动，”该公司表示。“因此，G.Skill的采购成本大幅增加。G.Skill的定价反映了集成电路供应商带来的行业整体元件成本上涨，并可能根据市场情况随时调整，恕不另行通知。”
此外，人工智能正在推动对一种不同类型内存的需求，这种内存与传统的DRAM不同，在大多数消费应用中用处不大。
桑德斯说：“这与以往的繁荣与萧条周期略有不同，因为晶圆正从消费级存储器转向 HBM。”
高带宽内存由多层DRAM构成，顾名思义，其带宽远高于笔记本电脑或RDIMM中常见的普通DRAM模块。例如，HBM3e单芯片36GB即可提供1TB/s的带宽，这并不罕见。相比之下，单条8GB LPDDR5x模块的带宽可达140GB/s。
HBM几乎完全用于高端数据中心GPU和AI加速器，例如Nvidia的B300、AMD的MI355X或亚马逊的Trainium3。桑德斯表示，正因如此，内存市场正在迅速分化。
“因为消费者对人血小板没有需求——消费市场根本无法承受这个价格——这实际上正在变成两个彼此分离的市场，”他说。
目前，内存厂商正处于内存技术转型期，他们准备提高HBM4内存模块的产量，这些模块将从明年开始应用于英伟达的Vera Rubin和AMD的MI400等芯片。桑德斯表示，这些芯片初期价格会较高。
虽然 TechInsights 预计内存市场将在 2027 年趋于稳定，但这不会持续太久。您可能还记得，英伟达计划从 2027 年开始，将 576 个 Rubin-Ultra GPU（每个 GPU 都配备 1TB 的 HBM4e 显存）塞进单个机架中。
这或许可以解释为什么美光科技首席执行官 Sanjay Mehrotra 最近告诉投资者，由于人工智能数据中心的强劲需求，“在可预见的未来，整个行业的供应量将远远低于需求量”。
他倒也没怎么抱怨。当终端用户还在为短短几个月内上涨三倍的内存价格而苦恼时，内存制造商却赚得盆满钵满。在本月美光科技发布的2026财年第一季度财报电话会议上，该公司营收增长了56%，净利润更是翻了一番多，从去年同期的18.7亿美元增至52.4亿美元。
虽然存储器厂商现在可能拥有足够的资金来建设新的晶圆厂，但至少还需要三年时间才能投入生产。即便投产，大部分产能也可能用于生产HBM和其他企业级产品。
（来源：半导体行业观察综合）返回搜狐，查看更多